Мы используем cookie файлы.
Пользуясь сайтом, вы соглашаетесь с нашей Политикой конфиденциальности.

Результаты поиска по сайту
Найдено 14 результатов
Трехмерную память для электроники будущего разрабатывают в ДВФУ
Международная лаборатория спин-орбитроники открыта в Дальневосточном федеральном университете (ДВФУ) в рамках проекта «Ферримагнитная спин-орбитроника», поддержанного мегагрантом Правительства Российской Федерации. Руководитель лаборатории, профессор Киотского университета (Япония) Теруо Оно представил первые исследования по разработке магнитной памяти для электроники нового поколения и обсудил с учеными и студентами ДВФУ дальнейшие планы реализации проекта.
Трехмерную память для электроники будущего разрабатывают в ДВФУ
Международная лаборатория спин-орбитроники открыта в Дальневосточном федеральном университете (ДВФУ) в рамках проекта «Ферримагнитная спин-орбитроника», поддержанного мегагрантом Правительства Российской Федерации. Руководитель лаборатории, профессор Киотского университета (Япония) Теруо Оно представил первые исследования по разработке магнитной памяти для электроники нового поколения и обсудил с учеными и студентами ДВФУ дальнейшие планы реализации проекта.
Российские учёные создают «память» нового поколения.
Ученые ННГУ им. Н.И. Лобачевского получили патент на изобретение нового поколения устройств компьютерной памяти. Разработка осуществлялась в рамках программы мегагрантов Изобретение получено в научно-исследовательской лаборатории (НИЛ) стохастических мультистабильных систем («СтоЛаб») научно-образовательного центра «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ, созданной под руководством Бернардо Спаньоло (Университет Палермо, Италия) в 2018 году. Предлагаемое учеными ННГУ им. Н.И. Лобачевского изобретение...
Разделы сайта
Тэги